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Samsung comienza la producción de memorias DDR3 4G

 

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Samsung anuncia la producción en masa de sus memorias DDR3 más avanzadas, basadas en una nueva tecnología de procesos de 20 nanómetros, y que darán lugar a una amplia gama de aplicaciones informáticas. El fabricante ha ido un paso más allá en el escalado de DRAM, utilizando la litografía de inmersión ArE actual, en sus nuevas memorias DRAM DDR3 de 4Gb y 20 nanómetros.

Con una memoria DRAM, donde cada celda cuenta con un condensador y un transistor conectados entre sí, el escalado es más difícil que con una memoria NAND Flash, en la que una celda solo necesita un transistor. Para continuar escalando el DRAM más avanzado, Samsung redefine su diseño y fabricación.

Según explica la compañía en un comunicado, “su tecnología modificada de doble patrón crea un hito al permitir la producción de DDR de 20nm, utilizando equipamiento actual de litografía y estableciendo la tecnología core para la próxima generación de memorias RAM de próxima generación de 10 nanómetros. Samsung ha creado también capacitadores de celdas dieléctricas ultrafinas con una homogeneidad sin precedentes, lo que resulta en celdas con un mayor rendimiento”.

Con la nueva memoria DRAM DDR3 de 20nm, también ha mejorado la productividad de fabricación, que es un 30 por ciento mayor que la anterior DDR de 25 nanómetros, y más del doble que las DDR de 30 nm.  Además, los nuevos módulos basados en DDR3 4G 20nm, pueden ahorrar hasta el 25 por ciento de energía consumida, por módulos equivalente fabricados utilizando la anterior tecnología de procesos de 25 nanómetros.

24/03/2014 – PCWorld